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目前主流的闪存芯片基本是在128层或者232层，比如我们日常买到的固态硬盘，长江存储的很多颗粒就是232层堆叠，但更多厂商提供的颗粒则是128层。当然长江存储的确在这部分算是遥遥领先，海力士才开始量产232层的颗粒，三星还要等等才能量产，美光倒是早早量产了232层NAND闪存，但在终端市场上见得不多，产能和未受限制的长江存储相比似乎也有差距。不过目前因为长江存储无法在技术和产能进行突破，这也给了其他厂商赶上来的机会，最近海力士就展示了全球首款321层的闪存芯片。

众所周知，闪存芯片堆叠层数越多，那么研发难度也就越高。之前有一种说法是，长江存储的232层闪存并非一次堆叠而成，而是128层、125层两次堆叠再合体，去掉一定冗余，然后得到232层，这也是长江存储自己研发的晶栈Xtacking的技术特性。不过对海外的几个厂商来说，看起来更像是传统的一次堆叠，不过借助更先进的制程和设备，的确是有希望突破到更高的层数。

以前美光总是喜欢展示技术，232层闪存芯片的首次亮相就是美光研发的，而在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会，海力士则首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。同时，海力士还会在本次峰会上介绍了PCI-E 5.0及UFS 4.0相关的新一代NAND闪存解决方案。

海力士的321层闪存采用的是TLC 4D NAND闪存颗粒，目前为1TB容量，当然向外界展示的肯定只是现阶段开发的样品。海力士表示，会进一步完善321层NAND闪存，并且计划在2025年上半年进入量产阶段。根据官方的介绍，321层1Tb TLC NAND闪存的效率比上一代238层512Gb提高了59%，这是由于数据存储的单元用更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

目前还没有其他厂商发布超过300层的闪存芯片，其中比较可惜的还是国内的长江存储，本来长江存储在闪存市场一路高歌猛进，甚至拿到了苹果的订单，而且在技术上甚至处于领先的地位，但现在的禁令使得这家公司的确难以施展手脚。据悉为了不让自己研发的晶栈Xtacking架构浪费，长江存储正在制造新的128层闪存芯片，而且在性能上会比较接近232层。只不过未来想要跟上海外厂商的技术步伐，长江存储难度会比较大了。

但无论如何，未来闪存颗粒还是会继续往高性能、大容量的方向发展。目前在SSD市场上，4TB算是一个常见的容量，8TB有望在今年年底大量上市。而随着技术的进步和市场的需求，我们预计4TB和8TB在明年会进一步扩大产能，而到了2025年或许16TB的民用SSD就该涌现出一批了！